产品概述
描述
该器件是采用STripFET™ F7技术开发的N沟道功率MOSFET，具有增强型沟槽栅极结，可降低通态电阻。同时，器件还能降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
-
所有功能
- 处于市面上最低的RDS(on) 行列
- 出色的品质因数（FoM）
- 较低的 Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
- 坚固的抗雪崩能力
特别推荐
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STL40N10F7
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符号
封装
3D模型
所有资源
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 |
|---|
SPICE models (1)
| 资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 24 Feb 2016 | 24 Feb 2016 |
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STL40N10F7 | 批量生产 | PowerFLAT 5x6 | 工业 | Ecopack2 | 7 | 2025-02-01T00:00:00.000+01:00 | |
STL40N10F7
Package:
PowerFLAT 5x6Material Declaration**:
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
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| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STL40N10F7 | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
STL40N10F7 批量生产
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