产品概述
描述
该N-沟道功率MOSFET利用STripFET™F7技术和增强型沟槽栅极结构，可降低通态电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而使开关速度更快、能效更高。
-
所有功能
- 专为汽车应用设计并通过AEC-Q101认证
- 处于市面上最低的RDS(on) )行列
- 出色的品质因数（FoM）
- 较低的Crss/Ciss 比值使得其具有更强的抗EMI能力
- 坚固的抗雪崩能力
EDA符号、封装和3D模型
意法半导体 - STH145N8F7-2AG
Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.
Please select one model supplier :
符号
封装
3D模型
质量与可靠性
| 产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STH145N8F7-2AG | 批量生产 | H2PAK-2 | 汽车应用 | Ecopack1 (*) | 7 | 2025-02-01T00:00:00.000+01:00 |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此，它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息，请联系 销售支持。
样片和购买
Don't show this again
| 产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STH145N8F7-2AG | | | distributors 无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处 |
STH145N8F7-2AG 批量生产
Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
distributors
无法联系到经销商，请联系我们的销售办事处
包:
包装类型:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):
Don't show this again